Αρχική Τεχνολογία Νέο ρεκόρ αποθήκευσης στις μνήμες PCM από Έλληνες

Νέο ρεκόρ αποθήκευσης στις μνήμες PCM από Έλληνες

0

Έλληνες ερευνητές στο ερευνητικό κέντρο της IBM Research στην Ελβετία έκαναν ένα ακόμη βήμα βελτίωσης της επαναστατικής «μνήμης αλλαγής φάσης» (Phase-Change Memory – PCM), καταφέρνοντας να αποθηκεύσουν τρία μπιτ δεδομένων ανά κύτταρο αποθήκευσης (bit per cell), έναντι ενός μπιτ που ήταν έως τώρα το ρεκόρ.

Η μνήμη PCM είναι ένα είδος μη-πτητικής μνήμης RAM, που εκμεταλλεύεται τις ιδιότητες της υάλου από χαλκογονίδια και η οποία φιλοδοξεί να αποτελέσει το αποθηκευτικό μέσο του μέλλοντος, επιτρέποντας ταχεία και εύκολη αποθήκευση και προσπέλαση δεδομένων σε κινητές συσκευές, στο Διαδίκτυο των Πραγμάτων κ.α.

Τα τελευταία χρόνια, η μνήμη τύπου PCM έχει προσελκύσει το διεθνές ενδιαφέρον χάρη στις μεγάλες δυνατότητές της. Για παράδειγμα, αντίθετα με την μνήμη DRAM, δεν χάνει δεδομένα όταν απενεργοποιείται, ενώ αντέχει τουλάχιστον δέκα εκατομμύρια κύκλους επανεγγραφής, έναντι μόνο 3.000 κύκλων ενός μέσου USF flash.

Οι ερευνητές, με επικεφαλής τον δρα Ευάγγελο Ελευθερίου, επικεφαλής του τμήματος τεχνολογιών αποθήκευσης της IBM Research στη Ζυρίχη, έκαναν τη σχετική ανακοίνωση σε διεθνή συνάντηση στο Παρίσι για τις νέες μνήμες. Στην ερευνητική ομάδα συμμετείχαν επίσης οι Χαλάραμπος Ποζίδης και Νικόλαος Παπανδρέου.

Η ΙΒΜ «ποντάρει» ιδιαίτερα στη μνήμη PCM, για την οποία οραματίζεται τόσο την αυτόνομη χρήση, όσο και την «υβριδική», δηλαδή σε συνδυασμό με μια μνήμη flash. Για παράδειγμα, το λειτουργικό σύστημα ενός «έξυπνου» κινητού τηλεφώνου θα μπορούσε να είναι αποθηκευμένο σε μνήμη PCM, ώστε η συσκευή να ξεκινά σε ελάχιστα δευτερόλεπτα.

Αλλά και σε μεγαλύτερη κλίμακα, ολόκληρες βάσεις δεδομένων επιχειρήσεων και οργανισμών θα μπορούσαν να αποθηκευθούν σε μνήμες PCM, επιτρέποντας την ταχύτερη αναζήτηση δεδομένων. Επίσης οι αλγόριθμοι μηχανικής μάθησης θα μπορούσαν να «τρέχουν» ταχύτερα χάρη στις εν λόγω μνήμες.

Οι ερευνητές της ΙΒΜ ανακοίνωσαν ότι για πρώτη φορά πέτυχαν να αποθηκεύσουν αξιόπιστα 3 bits per cell σε μια μνήμη PCM. Το πειραματικό «τσιπ» μνήμης PCM της ΙΒΜ συνδέεται με μια τυπική πλακέτα ολοκληρωμένου κυκλώματος.

Η μνήμη PCM αποτελεί την πρώτη ενσάρκωση μιας καθολικής μνήμης που έχει ιδιότητες τόσο της DRAM, όσο και της flash, δίνοντας έτσι λύση σε μια από τις μεγάλες προκλήσεις της βιομηχανίας μας.

Η αποθήκευση 3 bits per cell συνιστά σημαντικό ορόσημο, επειδή με αυτή τη χωρητικότητα το κόστος της PCM θα είναι σημαντικά μικρότερο της DRAM και θα προσεγγίσει εκείνο της flash.

ΑΦΗΣΤΕ ΜΙΑ ΑΠΑΝΤΗΣΗ

Please enter your comment!
Please enter your name here